El cuello de botella de la IA se desplaza del 'procesamiento' al 'movimiento de datos'…crece la importancia del empaquetado avanzado
El HBM también evoluciona con unión híbrida…Samsung y SK amplían la colaboración en empaquetado
![Mukund Srinivasan, vicepresidente del grupo Applied Materials, y Park Kwang-seon, representante de Applied Materials Korea, participan en la sesión de prensa sobre memoria DRAM y empaquetado avanzado para la era de la inteligencia artificial, celebrada el 31 de agosto en el Centro Coex Premier Oakwood de Seúl. [Foto: Jo Sung-jun]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/08/31/20260831141118525310.jpg)
La competencia de desempeño en semiconductores de inteligencia artificial se está ampliando desde la creación de lógica más rápida y memoria de ancho de banda alto (HBM) hacia la cuestión de qué tan cerca se pueden conectar estos componentes entre sí. A medida que aumenta la capacidad de procesamiento de IA, la velocidad de almacenamiento y transferencia de datos se ha convertido en una "barrera de memoria" que limita el desempeño general del sistema. En la industria de semiconductores coreana, que lidera el mercado de HBM, la capacidad avanzada de empaquetado que conecta la lógica y la memoria, además del desempeño de la memoria en sí, se perfila como un factor clave en la competencia de próxima generación.
Durante la sesión de prensa sobre "Memoria DRAM y empaquetado avanzado para la era de la inteligencia artificial", celebrada el 31 de agosto en el Centro Coex Premier Oakwood en Samseong-dong, Seúl, Mukund Srinivasan, vicepresidente del grupo Applied Materials, identificó la eficiencia energética como la tarea central de los semiconductores de IA. Señaló que los semiconductores de IA se dividen en lógica, memoria y empaquetado que los conecta, y afirmó que "en el empaquetado, la lógica y la memoria deben colocarse muy próximas entre sí".
A medida que la lógica evoluciona hacia estructuras tridimensionales como la arquitectura de transistores alrededor de la puerta (GAA) y la memoria avanza hacia HBM con memoria DRAM apilada verticalmente, el empaquetado también se está sofisticando, pasando de estructuras 2.5D a estructuras 3D. Srinivasan identificó la velocidad, la latencia y el ancho de banda como requisitos clave de la memoria DRAM de próxima generación. Explicó que aumentar la densidad de entrada y salida y reducir la distancia entre la lógica y la memoria es fundamental para disminuir el tiempo y la energía necesarios para el movimiento de datos.
La tecnología de apilamiento de HBM también está evolucionando en la misma dirección. Actualmente, predomina el método de conexión de memoria DRAM mediante micro-bumps, pero a medida que aumenta el número de capas, es necesario reducir el espacio entre los contactos y los chips. Srinivasan afirmó que "para mejorar la eficiencia energética del HBM mientras se escala, es necesario pasar del apilamiento basado en micro-bumps hacia la unión híbrida". La unión híbrida es una tecnología que reduce el espacio entre chips, mejorando la eficiencia térmica e integración, además de reducir la latencia y mejorar el ancho de banda.
![Modelo de empaquetado avanzado relacionado con memoria de ancho de banda alto (HBM) presentado por Applied Materials el 31 de agosto en el Centro Coex Premier Oakwood de Seúl. [Foto: Jo Sung-jun]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/08/31/20260831142002910451.jpg)
Sin embargo, el momento en que la unión híbrida en HBM comience su comercialización a gran escala sigue siendo incierto. En la ronda de preguntas y respuestas, Srinivasan evaluó la unión híbrida como una tecnología prometedora para HBM, aunque indicó que el momento específico de aplicación "será una decisión de los clientes". Expresó confianza en que, aunque las nuevas tecnologías de semiconductores requieren cierta curva de aprendizaje, los problemas técnicos se resolverán.
Estos cambios representan un nuevo reto para Samsung Electronics y SK Hynix, que lideran el mercado de HBM. Park Kwang-seon, representante de Applied Materials Korea, señaló que "de las tres empresas que fabrican memoria avanzada, dos están en Corea del Sur, y a esto se suma ahora el empaquetado y la lógica avanzada", evaluando que la importancia estratégica de Corea del Sur seguirá creciendo. Añadió que "estamos debatiendo mucho sobre cómo desarrollar juntos la tecnología de empaquetado que conecta los chips y aplicarla a la producción en masa en un corto período de tiempo".
El enfoque hacia el desarrollo tecnológico también está cambiando. Según Srinivasan, la lógica avanzada requiere más de 2.000 etapas de procesos, y la memoria requiere más de 1.200. Enfatizó que en lugar de mejorar procesos individuales por separado, es importante la "optimización conjunta" que integra materiales, procesos y medición.
Con este objetivo, Applied Materials está construyendo un "Centro EPIC" en Silicon Valley, California. El propósito es que clientes, fabricantes de equipos y proveedores de materiales colaboren desde el desarrollo tecnológico inicial hasta la aplicación en producción en masa, acortando el tiempo de comercialización. Samsung Electronics y SK Hynix participan como socios de inversión. Park indicó que conectarán la tecnología inicial desarrollada en el Centro EPIC estadounidense con un centro de colaboración en construcción en Corea del Sur para acelerar la comercialización de productos de clientes locales.
* Este artículo ha sido traducido por IA.