Conversión de líneas de producción en Xian a 286 capas y Dalian a 240 capas para fortalecer competitividad
Escasez de SSD para servidores AI se agudiza; restricciones estadounidenses de exportación de equipos siguen siendo una variable
![Fábrica de semiconductores de Samsung en Xian, China [Foto=Samsung Electronics]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/10/21/20261021161742365501.jpg)
Samsung Electronics y SK Hynix han iniciado la modernización de sus fábricas de memoria NAND en China, a pesar de las restricciones estadounidenses sobre exportación de equipos semiconductores hacia el país asiático. La medida responde al aumento acelerado de la demanda de dispositivos de almacenamiento para centros de datos de inteligencia artificial, así como a la creciente competencia de la empresa china Yangtze Memory Technologies Corporation (YMTC).
Según reportes de Reuters del 21 de octubre, Samsung Electronics está convirtiendo sus líneas de producción de NAND de aproximadamente 200 capas en su fábrica de Xian en instalaciones de memoria V-NAND de 286 capas de novena generación. La compañía tiene como objetivo producir 5.000 obleas mensuales a partir de diciembre de este año, aumentando a 40.000 obleas mensuales para finales del próximo año. La fábrica de Xian es una instalación crítica que representa aproximadamente el 40% de la producción total de NAND de Samsung Electronics.
Por su parte, SK Hynix está implementando planes para modernizar la memoria NAND producida en su fábrica de Dalian, elevando las capas de las actuales 192 a 240 o superior. La fábrica de Dalian es una instalación que SK Hynix adquirió al comprar el negocio de NAND de Intel en 2021, y actualmente produce memoria NAND para unidades de estado sólido (SSD) empresariales de su filial Solidigm. Ambas compañías están mejorando los procesos de fabricación existentes para producción de productos avanzados, en lugar de reabrir instalaciones que habían cesado operaciones.
El impulso detrás de estos movimientos es la creciente escasez de NAND causada por la expansión de centros de datos de inteligencia artificial. Con el aumento de servidores de IA, la demanda de SSD empresariales de gran capacidad para almacenar datos también está creciendo rápidamente. La firma de investigación de mercado Trendforce proyecta que la demanda de SSD empresariales medida en bits aumentará más del 80% respecto al año anterior, y que los precios de contrato de NAND en el cuarto trimestre subirán entre 15% y 20% en comparación con el trimestre anterior.
La competencia de rivales chinos también ha influido en esta decisión. De acuerdo con la firma de análisis Omdia, la participación de mercado de YMTC en el mercado chino de NAND pasó de 28% hace un año a 38.5% en el segundo trimestre de este año, superando a Samsung Electronics. Durante el mismo período, Samsung Electronics descendió de 36% a 33.5%, mientras que SK Hynix cayó de 20% a 17%. YMTC está reduciendo la brecha tecnológica, incluso produciendo algunos productos de 294 capas.
Para ambas compañías, aumentar la utilización de sus instalaciones de producción existentes en China resulta ventajoso. La estrategia reduce la carga de inversión en comparación con la construcción de nuevas fábricas, y la conversión a NAND de mayor apilamiento permite almacenar más datos en la misma área, mejorando la competitividad de costos.
Sin embargo, las restricciones estadounidenses sobre exportación de equipos semiconductores siguen siendo una variable importante. Estados Unidos ha dejado claro que permite la importación de equipos para mantener operaciones en fábricas existentes en China, pero no otorgará permisos para modernización tecnológica o expansión de capacidad productiva. Samsung Electronics y SK Hynix han declarado a Reuters que están llevando a cabo mejoras de equipamiento en coordinación cercana con el gobierno estadounidense.
Samsung Electronics explicó que estas medidas se ejecutan dentro de los límites de cumplimiento con regulaciones de exportación estadounidenses y no están relacionadas con expansión de capacidad productiva ni construcción de nuevas fábricas. Según Reuters, SK Hynix ha recibido autorización para producir memoria NAND de hasta 240 capas en su fábrica de Dalian, y también está considerando solicitar permisos adicionales para investigación y desarrollo de productos de 300 capas o superior. Sin embargo, no se ha confirmado hasta qué punto ambas compañías han asegurado los permisos de exportación de equipos que necesitan.
* Este artículo ha sido traducido por IA.