Discurso de apertura en SEDEX 2026: nueva diagnosis de cuellos de botella de memoria conforme se expande la inferencia de IA
Énfasis en demanda de memoria de IA personalizada: presentación de hoja de ruta de tecnologías de próxima generación como HBF
![El presidente de desarrollo de SK Hynix, Ahn Hyun, presenta su discurso de apertura en la 28.ª Exposición de Semiconductores (SEDEX 2026) celebrada en COEX, Seúl, el 14 de octubre por la mañana. [Foto: Reportero Park Jin-young]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/10/14/20261014115354264868.jpg)
SK Hynix ha concretado su estrategia tecnológica dirigida al mercado de memoria de próxima generación más allá de la memoria de ancho de banda alto (HBM). Con el crecimiento acelerado del mercado de inferencia de inteligencia artificial, el movimiento de datos entre memorias se ha convertido en un nuevo cuello de botella, por lo que la empresa planea mantener su liderazgo en el mercado de semiconductores para IA mediante HBM personalizado, flash de ancho de banda alto (HBF) y DRAM de apilamiento tridimensional.
Ahn Hyun, presidente de desarrollo de SK Hynix (CDO), enfatizó en su discurso de apertura en la 28.ª Exposición de Semiconductores (SEDEX 2026), celebrada en COEX, Gangnam-gu, Seúl, el 14 de octubre: "Para el crecimiento sostenido de la infraestructura de IA, es necesario un enfoque que optimice la jerarquía completa de memoria, más allá de simplemente mejorar el rendimiento de memorias individuales".
En su conferencia titulada "La dirección de evolución de la tecnología de memoria en la era de la IA", el presidente Ahn diagnosticó que se están revelando las limitaciones de la estructura de memoria existente conforme crece rápidamente la demanda de inferencia de IA. Proyectó que la escala de la infraestructura de IA se expandirá 19 veces en 2030 en comparación con este año, a medida que aumentan simultáneamente la complejidad del modelo de IA, la cantidad de información a procesar y el volumen de solicitudes de inferencia.
Subrayó particularmente que, mientras que el problema anterior era la diferencia de velocidad entre la unidad de procesamiento y la memoria, en el futuro el movimiento de datos entre diferentes capas de memoria —como HBM, DRAM y unidades de estado sólido (SSD)— se convertirá en el nuevo cuello de botella. Explicó que es necesario no solo aumentar el rendimiento de la memoria existente, sino también introducir nuevas tecnologías de memoria entre cada capa.
En primer lugar, el HBM evolucionará hacia un producto personalizado diseñado según las necesidades específicas del sistema de IA de cada cliente. SK Hynix está desarrollando productos de próxima generación como HBM4E y HBM5, y además está preparando HBM personalizado que integra las funcionalidades requeridas por los clientes en el chip base.
El presidente Ahn señaló: "HBM estándar y HBM personalizado coexistirán, pero a largo plazo la tendencia hacia la personalización se expandirá aún más. Estamos preparados con varias tecnologías clave que pueden satisfacer plenamente a nuestros clientes".
Como tecnología posterior al HBM, presentó el HBF y el DRAM de apilamiento tridimensional. El HBF es una memoria de próxima generación que aplica la tecnología de apilamiento del HBM al flash NAND. SK Hynix estableció como objetivo de desarrollo un ancho de banda de transferencia de datos equivalente a la mitad del HBM de la misma generación y una capacidad de almacenamiento superior a 10 veces.
La estandarización del HBF también está acelerándose. SK Hynix colaboró con socios globales como SanDisk y Google para revelar las especificaciones iniciales en el Proyecto Computación Abierta (OCP) en julio de este año, y planea establecer las especificaciones finales en enero del próximo año. El presidente Ahn enfatizó: "El enfoque de definir especificaciones conjuntamente con múltiples clientes y socios, establecer estándares y construir un ecosistema es absolutamente esencial en la era de la IA".
El DRAM de apilamiento tridimensional es una tecnología que apila DRAM directamente sobre semiconductores de procesamiento como unidades de procesamiento gráfico (GPU). El objetivo es expandir las conexiones de entrada y salida decenas de veces en comparación con el HBM convencional, mejorando el rendimiento de transferencia de datos y reduciendo el consumo de energía.
También está en desarrollo "Storage-Next", una tecnología de SSD empresarial de próxima generación. Se rediseña la estructura de NAND y controlador para aumentar el rendimiento de procesamiento de entrada y salida entre 4 y 8 veces en comparación con las soluciones existentes, y está siendo desarrollada en colaboración con clientes.
El presidente Ahn concluyó: "No vemos la memoria únicamente como un componente en sí mismo. Puesto que cada cliente tiene requisitos tecnológicos diferentes, impulsaremos el crecimiento continuo del ecosistema de IA a través de nuevas soluciones de memoria".
* Este artículo ha sido traducido por IA.