CXMT lanzará memoria DRAM para servidores con tecnología 4F² dos años antes que Samsung

Fotografía de la sede central de CXMT [Foto=Reuters·Yonhapnews]

CXMT (Changxin Memory Technologies), empresa china fabricante de semiconductores de memoria, se propone conquistar el mercado de memoria para servidores con tecnología DRAM de nueva generación. La compañía busca expandir su ámbito de operaciones, que hasta ahora se concentraba en dispositivos electrónicos de consumo, hacia memoria de alto desempeño para servidores, desafiando así el mercado de alto valor agregado liderado por Samsung Electronics, SK Hynix y la estadounidense Micron.

Según reportó el 12 de octubre el medio chino China Times, el presidente de CXMT, Cao Kanyu, anunció en una conferencia de la industria celebrada el 10 de octubre que la compañía tiene previsto lanzar productos de memoria RDIMM DDR5 para servidores con arquitectura DRAM 4F² antes del cierre de este año. RDIMM es un búfer de hardware que mantiene las señales transmitidas desde la unidad central de procesamiento durante exactamente un ciclo de reloj. 4F² es una técnica de diseño DRAM de nueva generación que aumenta la integración al reducir el área de la celda de memoria. Al permitir colocar celdas de memoria en un área más pequeña que la estructura 6F² actual, dominante en la industria, resulta ventajoso para incrementar la capacidad de almacenamiento por chip. El presidente Cao explicó que CXMT utilizará esta tecnología para superar las barreras técnicas que han obstaculizado su entrada al mercado de memoria para servidores.

La tecnología clave es el transistor de compuerta envolvente vertical (VSG). Especialistas de la industria china estiman que la aplicación de la estructura 4F² puede aumentar la integración de celdas entre 30% y 50% en comparación con diseños anteriores. CXMT informó que ha revelado más de 300 patentes relacionadas con esta arquitectura.

Este desarrollo de productos servirá como prueba para determinar si CXMT puede demostrar su competitividad tecnológica en el mercado de memoria para servidores. De acuerdo con el director del Tsinghua Fastslink Research Institute, las tres principales empresas de memoria del mundo también están impulsando el desarrollo de tecnología DRAM 4F² o similar en tres dimensiones (3D), pero aún no han alcanzado la comercialización a gran escala. Si CXMT logra la comercialización de productos primero, podrá asegurar un efecto de ocupación de mercado en el segmento de memoria de nueva generación e incrementar la competitividad de la cadena de suministro de semiconductores avanzados de China.

Por su parte, Samsung Electronics planea comercializar la arquitectura 4F² en 2028. Se conoce que Samsung utilizará un método que consiste en fabricar por separado la celda de memoria y los circuitos periféricos en obleas distintas, para luego combinarlos mediante unión híbrida.



* Este artículo ha sido traducido por IA.