Logra 11.95 nanómetros... «equiparable a los procesos de manufactura más avanzados de la industria»
Aumenta producción de chips por oblea en 50%... mejora eficiencia energética y reduce costos
Eleva productividad y apunta directamente a ampliar suministros en el mercado global de DRAM
![CXMT, empresa líder china en DRAM [Foto=Reuters/Yonhapnews]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/09/20/20260920170856704660.jpg)
Changxin Memory Technology (CXMT), empresa líder en semiconductores de memoria de China, anunció que su plataforma tecnológica de quinta generación ha entrado en producción en masa, lo que representa un avance tecnológico significativo que le permite competir con las principales empresas del sector global, incluidas Samsung Electronics, SK Hynix y Micron Technology.
Según información de medios chinos como Pengpai News y Reuters, CXMT presentó oficialmente la entrada en producción en masa de su plataforma de quinta generación durante la «Conferencia Mundial de Manufactura 2026», celebrada el 20 de septiembre en Hefei, provincia de Anhui, China.
CXMT explicó que la nueva plataforma permite producir chips de memoria con mayor rendimiento, utilizando menor costo y consumo energético que las generaciones anteriores.
Específicamente, la nueva plataforma reduce el espaciado entre circuitos a 11.95 nanómetros al densificar el área de almacenamiento de datos dentro del chip de memoria. Para lograr esto, CXMT aplicó la técnica de «cuádruple patterning», que implica repetir el proceso de manufactura múltiples veces para crear patrones de circuitos más finos.
Luo Xiaodong, vicepresidente de CXMT, declaró: «El nivel actual de nuestra tecnología de procesos es equiparable al proceso más avanzado que se produce actualmente en la industria».
Como resultado del avance en los procesos de miniaturización, CXMT logró un aumento significativo en la densidad de integración de memoria. Según la empresa, la plataforma de quinta generación produce un mínimo de 50% más chips por oblea en comparación con la plataforma de cuarta generación. Esto ha mejorado también la eficiencia energética y la competitividad en costos de los productos, según indicó la compañía.
CXMT también presentó dos variantes del producto LPDDR5X de 24 gigabits desarrollados con base en la plataforma de quinta generación. LPDDR5X es una DRAM de bajo consumo energético utilizada principalmente en dispositivos móviles como smartphones. Ambos productos pueden almacenar 50% más datos que productos equivalentes existentes y ya están en producción en masa, siendo suministrados a productos insignia de los principales fabricantes de smartphones chinos, según afirmó la empresa.
CXMT expresó su expectativa de que esta producción en masa contribuirá a la diversificación de la cadena de suministro en el mercado global de memoria.
El avance tecnológico de CXMT coincide con las restricciones estadounidenses en curso sobre las exportaciones de semiconductores avanzados a China. Desde 2022, Estados Unidos ha limitado el acceso de China a semiconductores avanzados, equipos de manufactura de semiconductores y software relacionado.
CXMT está acelerando su persecución a Samsung Electronics y SK Hynix, con una expansión rápida de su participación de mercado en el sector global de DRAM. De acuerdo con el análisis de la firma de investigación de mercado Counterpoint Research, la participación de mercado global de CXMT en DRAM pasó de 4% en el segundo trimestre del año anterior a 10% en el segundo trimestre del presente año.
Los ingresos de CXMT en el primer semestre del presente año se multiplicaron por aproximadamente diez en comparación con el mismo período del año anterior, mientras que su ganancia neta cambió de pérdida a ganancias.
Goldman Sachs proyecta que para 2028, CXMT podrá suministrar aproximadamente la mitad de la demanda de DRAM de China y asumir hasta el 40% de la demanda de HBM dentro de China.
* Este artículo ha sido traducido por IA.