Completa 10 contratos de suministro a largo plazo y negocia con otros 10; amplía base de clientes a sectores móvil y automotriz
Foundry opera al 100% en procesos de 8 nanómetros o inferiores
Samsung Electronics ha completado las negociaciones de suministro de memoria de alto ancho de banda (HBM) para el próximo año y ha formalizado el agotamiento de existencias. Anticipando que la escasez de memoria se prolongará hasta 2028, la demanda de clientes por contratos de suministro a largo plazo (LTA) se está expandiendo más allá de los hiperscalers, alcanzando ahora a los sectores móvil y automotriz.
Samsung Electronics declaró en la conferencia de resultados del tercer trimestre del 29 de octubre que "las negociaciones sobre el volumen de suministro de HBM para 2027 se han completado a precios acordes con el nivel de objetivo considerando la competitividad del producto, encontrándose ya en estado de agotamiento de existencias", y añadió que "continuamos recibiendo solicitudes de cantidad adicional de los principales clientes".
Los ingresos de HBM4 en el tercer trimestre aumentaron más de tres veces respecto al trimestre anterior, llegando a aproximadamente el 60% de los ingresos totales de HBM. El objetivo de asegurar una cuota de mercado de HBM equivalente a la cuota de mercado total de DRAM durante la segunda mitad del año ya se alcanzó en el tercer trimestre.
La proyección de oferta y demanda se ha extendido hasta 2028. Samsung Electronics explicó que "los costos de construcción más elevados y el impacto de los pagos anticipados de equipos tienden a inflar aparentemente el volumen de inversión en instalaciones, y debido a que el tiempo de espera desde la nueva construcción hasta la producción de obleas es prolongado, es difícil que el aumento de inversión del próximo año contribuya sustancialmente a la producción de bits en 2028". También señaló como factor de restricción de suministro el incremento en el tamaño de los dados conforme avanzan las generaciones HBM4E y HBM5.
Los contratos de suministro a largo plazo se han completado con 10 grandes clientes y se están negociando con otros 10 clientes principales. Los clientes de contrato se están ampliando más allá de hiperscalers y fabricantes de servidores para incluir empresas de dispositivos móviles, automoción y redes. La empresa también señaló que el objetivo de cubrir entre el 60 y 70% de la capacidad de producción mediante contratos a largo plazo hasta 2030 está tomando forma.
La inversión también se está acelerando. La inversión en instalaciones anuales de este año alcanzará 84,4 billones de wones, un aumento de 31,7 billones de wones respecto al año anterior, de los cuales el división de semiconductores (DS) representa 76,8 billones de wones. El gasto en investigación y desarrollo (I+D) del tercer trimestre fue de 14,4 billones de wones.
En foundry, se prevé que la tasa de operación de procesos de 8 nanómetros o inferiores superará el 100% el próximo año, impulsando la expansión de capacidad en procesos de 8, 4 y 2 nanómetros. La fábrica Fab 1 de Taylor en Estados Unidos ha comenzado la operación del área limpia e introducción de equipos, mientras que la construcción de la Fab 2 está a punto de iniciarse formalmente. Se prevé que la proporción de ingresos de HPC el próximo año superará el 50%. Se ha confirmado el desarrollo de chips de prueba con algunos clientes para 1.4 nanómetros.
En NAND flash, la empresa señaló que la proliferación de IA agentic está generando un aumento acelerado en cachés KV, lo que incrementa la demanda de SSD para servidores. Anunció que comercializará a principios del próximo año un SSD QLC de 256 terabytes (TB) aplicando tecnología de apilamiento de 32 capas.
La devolución a accionistas utilizará los fondos remanentes de este año entre 55 y 75 billones de wones en dividendos en efectivo, recompra y cancelación de acciones propias, además de estudiar opciones para aumentar la proporción de recompra de acciones preferentes. El plan de ejecución específico y la nueva política para 2027 en adelante se confirmarán en la junta directiva a finales de enero del próximo año.
* Este artículo ha sido traducido por IA.