Samsung Electronics presenta soluciones de memoria de próxima generación en OCP 2026, desde HBM5 hasta obleas de 2 nanómetros

AMD y Samsung demuestran conjuntamente expansión de memoria CXL

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Shim Ho-jun, ejecutivo de Samsung Electronics del equipo AE de la división de negocios de memoria del segmento de semiconductores (DS), presenta un discurso de apertura en la Cumbre Global OCP 2026 celebrada en Silicon Valley, Estados Unidos el 12 de octubre (hora local). [Foto=Samsung Electronics]

 

Samsung Electronics participó el 12 de octubre (hora local) como patrocinador de categoría Diamond en la Cumbre Global OCP 2026, donde presentó su estrategia de tecnologías de memoria y almacenamiento de próxima generación para mejorar el rendimiento de la infraestructura de inteligencia artificial (IA), así como los resultados de colaboración con socios globales.

Según informó la industria el 13 de octubre, Samsung Electronics presentó en este evento tres líneas tecnológicas estratégicas: memoria de alto rendimiento incluyendo memoria de ancho de banda ultra alto de octava generación (HBM5) y HBM personalizadas, tecnología de expansión de memoria basada en CXL, y tecnologías de almacenamiento y gestión de datos utilizando SSD de próxima generación.

Shim Ho-jun, ejecutivo del equipo AE de Samsung Electronics, presentó en su discurso inaugural una estrategia tecnológica centrada en tres pilares: velocidad, escalabilidad de memoria y persistencia de datos. Shim enfatizó que "ante el crecimiento de los modelos de IA a mayor escala y el aumento de datos de inferencia, es fundamental expandir el ancho de banda de memoria, asegurar capacidad y desarrollar tecnologías de gestión de datos".

Samsung también mostró resultados de colaboración técnica con empresas globales. La compañía realizó una demostración conjunta con AMD de una solución de expansión de memoria basada en CXL, presentando una metodología para expandir flexiblemente la capacidad de memoria en sistemas de IA mediante tecnología de agrupamiento de memoria basada en CMM-D.

En el área de exhibición, Samsung operará dos espacios dedicados donde los visitantes podrán experimentar tecnologías de memoria de próxima generación. La empresa exhibirá maquetas de concepto HBM4E y HBM5, memoria de alto rendimiento y bajo consumo de energía como LPDDR5X-PIM, junto con obleas GAA de 2 nanómetros, obleas Grok LPU y sistemas Nvidia Grok3 LPX, demostrando su competencia tecnológica integral que abarca desde foundry hasta empaquetamiento.

Según firmas de investigación de mercado, Samsung Electronics ocupó el primer lugar en el mercado global de memoria DRAM con una cuota de mercado del 39% en el segundo trimestre de 2026 (Counterpoint Research), y en el mercado de memoria NAND Flash con una cuota del 29,3% (TrendForce).

Asimismo, Omdia, otra firma de análisis de mercado, proyectó que "el volumen de producción de obleas de DRAM y NAND de Samsung Electronics en 2026 alcanzará los niveles máximos de la industria".

* Este artículo ha sido traducido por IA.