CXMT, fabricante de HBM3E, invierte 7 billones de wones y apunta a HBM4

Vista de la sede central de CXMT [Foto=Reuters·Yonhapnews]

CXMT, el mayor fabricante de DRAM de China, ejecutará una inversión de gran envergadura por aproximadamente 7 billones de wones. Con CXMT produciendo en pequeñas cantidades HBM3E, la empresa acelera sus esfuerzos para asegurar competitividad en el segmento HBM.

CXMT anunció el 28 por la noche, a través de un comunicado bursátil, un plan de inversión nueva por un monto total de 34.900 millones de yuanes (aproximadamente 7 billones de wones). De esta cantidad, 24.100 millones de yuanes se destinan a proyectos de investigación y desarrollo tecnológico, mientras que 10.800 millones de yuanes se asignan a la construcción de una base de pruebas de procesos posteriores.

En particular, del total de 24.100 millones de yuanes para el proyecto de investigación y desarrollo, 22.398 millones de yuanes se presupuestan para la compra de equipos, equivalente al 92,94 por ciento del monto total. El período de construcción del proyecto es de 30 meses, durante el cual CXMT planea acelerar la transición generacional de productos y tecnologías de procesos, además de mejorar la densidad de memoria, la eficiencia energética y el rendimiento.

CXMT ya ha ingresado en la etapa de desarrollo y producción de HBM3E. HBM es una memoria de gran ancho de banda fabricada mediante el apilamiento vertical de múltiples capas de DRAM, que requiere no solo procesos muy finos y rendimiento superior a los DRAM convencionales, sino también tecnologías críticas de apilamiento, empaquetado y pruebas.

Por lo tanto, esta inversión en tecnología DRAM de próxima generación por 24.100 millones de yuanes podría utilizarse como base para mejorar las técnicas de procesos de DRAM de alto rendimiento utilizados en HBM y aumentar la tasa de rendimiento de producción. En particular, se espera que la inversión a gran escala en equipos refuerce las capacidades de investigación y desarrollo y de transición a producción en masa de los procesos DRAM de próxima generación.

Dos nuevas bases de pruebas de procesos posteriores, en las que se invertirán 10.800 millones de yuanes, también están vinculadas a HBM. CXMT construirá fábricas de pruebas en estas instalaciones para realizar pruebas de DRAM y ensamblaje de módulos. La empresa explicó que con la expansión de la capacidad de producción y el aumento de variedades de productos, la capacidad de pruebas de empresas externas de procesos posteriores podría resultar insuficiente, por lo que es necesario asegurar capacidades propias de pruebas. La adquisición de líneas de procesos posteriores propias también representa una estrategia de preparación para la expansión de la producción de HBM.

En definitiva, esta inversión se analiza como una iniciativa que va más allá de la simple expansión de la capacidad de producción de DRAM, con una fuerte orientación hacia la preparación para la competencia en memoria de alto rendimiento que abarca HBM3E y más allá, hasta HBM4.

Por otra parte, el medio especializado en tecnología de la información de Estados Unidos DisinFormation informó, citando a dos fuentes familiarizadas con el asunto el 31 de agosto, que CXMT ha comenzado la producción en pequeña cantidad de HBM3E. El HBM3E producido se encuentra en fase de cualificación en dos empresas: Pingtou Ge, una empresa de diseño de semiconductores de inteligencia artificial filial de Alibaba, y Cambrian, una empresa de semiconductores de inteligencia artificial de China. Si supera las pruebas de validación, se está considerando que los semiconductiales HBM de CXMT se implementen en productos lanzados a partir de 2027.



* Este artículo ha sido traducido por IA.