Seis grandes empresas de memoria global superan márgenes de ganancia operativa del 70%... CXMT lidera con 82%
CXMT añadirá 3 nuevas plantas de memoria DRAM... se proyecta duplicar la capacidad de producción para 2030
Samsung y SK Hynix duplicarán producción de DRAM para 2031... 'Se preparan para ciclos bajistas mediante contratos de suministro a largo plazo'
La industria global de semiconductores de memoria atraviesa un auge sin precedentes impulsado por la creciente demanda de inteligencia artificial (IA). Los principales fabricantes reportan márgenes de ganancia superiores al 70%, y los recursos generados por esta bonanza se reinvierten en expansiones masivas de capacidad productiva. Mientras Samsung Electronics y SK Hynix aceleran la construcción de instalaciones de producción nacionales, los competidores chinos también se suman a la carrera de ampliación, lo que promete intensificar la competencia en el mercado de memoria.
Según datos compilados por el periódico Nikkei el 11 de septiembre, seis grandes fabricantes de memoria global registraron márgenes de ganancia operativa por encima del 70% en el segundo trimestre del año, medidos sobre la base de ganancias antes de intereses e impuestos (EBIT). China Xiangshan Memory Technologies (CXMT) encabezó la lista con un margen del 82%, seguida por Micron con 80% (período marzo-mayo), Sandisk con 78%, SK Hynix con 76%, Kioxia con 74% y la división de semiconductores de Samsung Electronics con 70%.
La elevada rentabilidad se debe a la escasez de oferta de memoria desencadenada por la demanda de IA. Samsung Electronics, SK Hynix y Micron están priorizando su capacidad productiva limitada para memoria de alto ancho de banda (HBM) y memoria DRAM de alto valor agregado destinada a servidores, lo que ha reducido el suministro de DRAM de propósito general utilizado en computadoras personales y teléfonos inteligentes. Simultáneamente, la expansión de servidores de IA ha aumentado la demanda de DDR5 de alta capacidad, extendiendo la tendencia alcista de precios a toda la gama de productos de memoria. Según la empresa de investigación de mercado TrendForce, las ventas globales de DRAM en el segundo trimestre de este año alcanzaron USD 154.730 millones, un aumento del 59,5% respecto al trimestre anterior.
Los recursos generados por el auge se canalizan nuevamente hacia inversión en capacidad productiva. Samsung Electronics ejecutó gastos de capital (CAPEX) por 28,1 billones de wones en el primer semestre de este año. La empresa prevé poner en operación completa la planta P4 del campus de Pyeongtak antes de fin de año, y está acelerando los calendarios de construcción de las plantas P5 Fab2 tras el comienzo de las obras principales de P5 Fab1 en abril. La inversión en el distrito industrial nacional de Yonggin también se está acelerando. Samsung Electronics estudia adelantar la fecha de operación de la primera de las seis plantas programadas para este sitio, desde los años 2030-2031 originalmente planificados hasta 2029.
SK Hynix también está adelantando el cronograma de inversión en el clúster de semiconductores de Yonggin. La empresa ha reducido en 12 años la fecha prevista de finalización de cuatro plantas, desde 2045 hasta 2033. Planea invertir 35,2 billones de wones adicionales en la planta Y2 de Yonggin y 19,1 billones de wones en la instalación de producción de memoria NAND M17 en Cheongju, con un total de inversión de 54,3 billones de wones.
Mientras la inversión de los fabricantes nacionales se expande, el avance de los competidores chinos también se acelera. Las empresas chinas de memoria DRAM están aumentando su capacidad productiva enfocándose en productos de propósito general, ganando participación en un mercado tradicionalmente dominado por Samsung Electronics, SK Hynix y Micron. CXMT, el mayor fabricante de DRAM de China, planea expandir sus plantas de memoria DRAM de tres a seis en el futuro.
Con esta expansión, se proyecta que la capacidad actual de producción de obleas de CXMT, de aproximadamente 300.000 unidades mensuales, aumentará a más de 600.000 unidades para 2030, más que duplicándose. La participación de mercado global de DRAM de China se espera que aumente del 8% registrado el año anterior a 11% en 2028 y 15% para 2030. Si los fabricantes chinos aseguran una participación de dos dígitos, se anticipan cambios significativos en la estructura actual del mercado, tradicionalmente dominada por los tres principales fabricantes de memoria.
Las sucesivas ampliaciones de capacidad por parte de los fabricantes también se consideran como una variable que podría afectar el desempeño futuro del mercado de memoria. Actualmente, el aumento de la demanda de IA y la escasez de oferta convergen para mantener márgenes de ganancia elevados, pero un factor crítico es si el crecimiento de la demanda se sostendrá hasta que entre en operación la nueva capacidad productiva. En particular, existe la posibilidad de que la escasez de oferta se alivie rápidamente si la capacidad productiva de empresas globales, incluyendo las de China, aumenta simultáneamente.
Counterpoint Research, empresa especializada en investigación de mercados, señaló que "conforme a los megaproyectos liderados por el gobierno surcoreano, se espera que la capacidad de producción de DRAM de Samsung Electronics y SK Hynix se duplique, aunque el año objetivo es 2031", y explicó que "los fabricantes están concentrando inversión en el desarrollo de tecnología avanzada y expansión de plantas, mientras que simultáneamente se preparan para ciclos bajistas futuros mediante contratos de suministro a largo plazo (LTA)".
* Este artículo ha sido traducido por IA.