DB Haitech asegura confiabilidad del MOSFET SiC de 1200V; ofrece soporte integral desde diseño hasta fabricación y evaluación
Proporciona kits de diseño de primera y segunda generación a clientes; lanzará tercera generación en noviembre y reducirá tiempo de desarrollo en un año
DB Haitech ha completado la validación de confiabilidad del proceso integral de fundición de semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC) de 1200V basado en obleas de 8 pulgadas, un hito mundial sin precedentes. Mientras el mercado de SiC, dominado actualmente por obleas de 6 pulgadas, transita hacia el formato de 8 pulgadas para mejorar la competitividad en costos, la empresa intensifica la adquisición de clientes antes de iniciar la producción en masa en 2027.
DB Haitech anunció el 9 de este mes la conclusión de la validación de confiabilidad del proceso de MOSFET SiC de 1200V de 8 pulgadas. La compañía ha establecido un sistema de fundición que permite ofrecer soporte integral, desde el diseño hasta la fabricación de obleas, evaluación de características eléctricas y validación de confiabilidad, en una única solución.
El carburo de silicio es un material de semiconductor de potencia de nueva generación más resistente a altas temperaturas y voltajes en comparación con el silicio convencional, utilizado en vehículos eléctricos, energías renovables y equipos de potencia industrial. El aumento del tamaño de la oblea de 6 a 8 pulgadas permite incrementar la cantidad de chips que se pueden producir en una sola oblea, lo que se considera la transformación clave para reducir los precios del SiC.
DB Haitech proporciona a clientes kits de diseño de procesos (PDK) de MOSFET SiC de 1200V de primera y segunda generación, desarrollados internamente. El PDK es un conjunto de reglas de diseño y modelos que proporciona a los clientes la capacidad de diseñar chips ajustándose al proceso de fundición. A través de esta solución, la empresa estima que puede adelantar la fabricación de prototipos de los clientes y reducir el tiempo total de desarrollo en más de un año.
El proceso de segunda generación ha alcanzado características de resistencia específica de 2,5 mΩ·cm² o inferior y voltaje de umbral de 3V o superior. En noviembre próximo, la empresa tiene previsto lanzar adicionalmente el PDK de tercera generación, que reduce la resistencia específica a 2,3 mΩ·cm² o inferior.
El negocio de SiC es un eje fundamental para que DB Haitech transforme su fundición convencional de 8 pulgadas hacia semiconductores de potencia de alto valor añadido. La empresa se ha establecido el objetivo de aumentar la proporción de ingresos de productos de alto valor añadido en centros de datos de IA, automoción e industria del 24% en 2025 al 60% para 2030, así como expandir los ingresos totales a una escala de aproximadamente 1,8 billones de won.
DB Haitech tiene previsto proporcionar el proceso de manera prioritaria a clientes colaboradores existentes a partir del tercer trimestre de este año, y expandir el servicio a todos los clientes en el segundo trimestre de 2027. Recientemente, la empresa ha participado consecutivamente en exposiciones de semiconductores de potencia en Europa e India, impulsando la prospección de nuevos clientes para SiC y nitruro de galio (GaN).
Un portavoz de DB Haitech declaró: "La conclusión de esta validación de confiabilidad es significativa porque hemos asegurado la tecnología de procesos clave y la base de producción en masa para ofrecer servicios de fundición SiC de 8 pulgadas por primera vez en el mundo". Agregó: "Nos prepararemos sin contratiempos para la producción en masa de SiC de 8 pulgadas en 2027 y ampliaremos la competitividad en el mercado mundial de fundición de semiconductores de potencia de nueva generación".
* Este artículo ha sido traducido por IA.