![Lee Jin-yeop, vicepresidente de la División de Desarrollo Flash, recibe el premio de Innovación 3D NAND con la tecnología V10 BV-NAND [Foto=Samsung Electronics]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/08/06/20260806153542662086.jpg)
Samsung Electronics ha sido reconocida por su tecnología de memoria de nueva generación en los premios de la conferencia mundial de tecnología de memoria "FMS 2026", ganando en dos categorías.
Según informó Samsung Electronics el 6 de agosto, la empresa ganó el premio de Innovación 3D NAND (3D & NAND Innovation Award) con su tecnología "V10 BV-NAND" y el premio de Memoria de Nueva Generación (Next-Gen Memory Award) con su producto "LPDDR5X-PIM" en los "Premios Lo Mejor de la Exposición" (Best of Show Awards) celebrados durante FMS 2026.
La tecnología V10 BV-NAND es una tecnología V-NAND de nueva generación que implementa una estructura ultraapilada de más de 400 capas. Se caracteriza por aplicar la tecnología de unión vertical (BV, Bonding Vertical), que une obleas de forma vertical, y una estructura de 3 capas que conecta las celdas V-NAND, lo que aumenta la capacidad de almacenamiento mientras reduce el consumo de energía y la disipación térmica. Es considerada una tecnología NAND de nueva generación para responder a la creciente demanda de almacenamiento de datos en la era de la inteligencia artificial.
El LPDDR5X-PIM, que también recibió premio, es el primer producto en el mundo que aplica la tecnología PIM (Procesamiento en Memoria) a LPDDR5X, una memoria DRAM de bajo consumo. Mediante una estructura que realiza cálculos directamente dentro de la memoria, minimiza el movimiento de datos y puede aumentar simultáneamente el rendimiento del sistema y la eficiencia energética. Destaca especialmente como una tecnología de memoria clave para reducir cuellos de botella en entornos de cálculo de inteligencia artificial a gran escala, como aceleradores de inteligencia artificial e informática de alto rendimiento (HPC).
A través de estos premios, Samsung Electronics ve confirmado nuevamente su liderazgo tecnológico en memoria NAND de nueva generación y memoria para inteligencia artificial, con la intención de consolidar aún más su posición como líder en tecnología de memoria que guíe la era de la inteligencia artificial.
La empresa tiene previsto revelar su hoja de ruta de memoria de nueva generación, soluciones de memoria para inteligencia artificial y tecnologías de almacenamiento de nueva generación durante FMS 2026, que se realiza hasta el 6 de agosto (hora local), compartiendo su visión de tecnología de memoria del futuro con clientes globales.
* Este artículo ha sido traducido por IA.