Divergente estrategia 'post HBM': Samsung apuesta por almacenamiento 3D personalizado frente a estándar abierto de SK

zHBM de Samsung coloca memoria sobre chips de IA con rendimiento 5 veces superior a HBM5

SK Hynix lidera con estándar HBF abierto para expandir ecosistema

• zHBM de Samsung coloca memoria sobre chips de IA con rendimiento 5 veces superior a HBM5

• SK Hynix lidera con estándar HBF abierto para expandir ecosistema

[Foto=Base de datos de Ajou Economy]

Samsung Electronics y SK Hynix han presentado estrategias divergentes para dominar el mercado posterior a la memoria de gran ancho de banda (HBM). Mientras Samsung adopta una estrategia de "traje personalizado", adaptando la memoria directamente a los chips de inteligencia artificial (IA) de cada cliente, SK Hynix ha optado por ocupar la posición de "especificación común" que múltiples clientes puedan utilizar.

Según informaron fuentes de la industria semiconductora el 5 de agosto, Samsung Electronics y SK Hynix presentaron tecnologías de memoria de IA de nueva generación en la conferencia "FMS 2026" celebrada en Santa Clara, California. Las direcciones tecnológicas para controlar el mercado posterior a HBM se han definido claramente.

La tecnología que Samsung Electronics ha presentado es zHBM. Mientras que la memoria HBM convencional se coloca junto al acelerador de IA, zHBM apila la memoria verticalmente sobre el acelerador de IA. Cuando la distancia entre el procesador y la memoria se reduce, aumenta la velocidad de transferencia de datos y disminuye el consumo de energía.

Maqueta de "zNAND-O" presentada por Samsung Electronics en FMS 2026 celebrado en Santa Clara, California, del 4 al 6 de agosto (hora local) [Foto=Samsung Electronics]

Samsung Electronics explicó que zHBM puede ofrecer un rendimiento hasta 8 veces superior al de HBM5. La empresa también destacó que puede mejorar la relación rendimiento-potencia hasta 3 veces y reducir la resistencia térmica en más de la mitad. A medida que los modelos de IA se vuelven más grandes, el cuello de botella en el movimiento de datos aumenta, por lo que Samsung ha presentado una solución colocando la memoria más cerca del procesador.

El diseño personalizado es fundamental. Samsung Electronics explicó que puede insertar propiedad intelectual específica del cliente en la capa intermedia entre la memoria y el acelerador de IA. Esto significa que la estructura puede modificarse según la capacidad de memoria, el rendimiento del acelerador y las condiciones de energía que cada cliente requiera.

La compañía también enfatizó la estrategia 3D en NAND. Samsung Electronics presentó V10 BV-NAND, la décima generación de V-NAND con más de 400 capas. Aplicando tecnología de unión de oblea, aumentó la densidad de integración aproximadamente 58% en comparación con la generación anterior. También presentó zNAND-O, diseñado para IA en el dispositivo.

La dirección de SK Hynix es la estandarización. Junto con SanDisk, presentó la primera especificación estándar de memoria flash de gran ancho de banda (HBF). HBF es una tecnología de almacenamiento de nueva generación que, como HBM, permite transferencias de datos rápidas mientras aumenta la capacidad basándose en tecnología NAND.

SK Hynix presentó la primera especificación estándar de "HBF", tecnología de almacenamiento de nueva generación, junto con SanDisk a través de OCP en FMS 2026. [Foto=SK Hynix]

HBF es una nueva capa ubicada entre HBM y las unidades de estado sólido (SSD). A medida que se expande la inferencia de IA, se acumulan más datos y estos deben recuperarse con mayor frecuencia. Solo HBM genera una carga de capacidad excesiva, mientras que solo SSD no proporciona la velocidad necesaria. SK Hynix planea llenar este vacío con HBF.

Esta especificación se estableció sobre la base de una capacidad máxima de 512GB. El ancho de banda se dividió en tres categorías que van desde aproximadamente 0,4TB hasta 3,0TB por segundo. Para la conexión con el procesador, se adoptó UCIe, una interfaz de chiplet abierta. Esto abre el camino para conectarse con diferentes chips como GPU y CPU.

SK Hynix también presentó por primera vez su NAND 4D de décima generación con 375 capas en FMS. Se trata de un producto que mejora el rendimiento por vatío 2,5 veces en comparación con la generación anterior. La compañía planea iniciar la producción en masa de eSSD de alto rendimiento y alta capacidad basado en esta tecnología a principios del próximo año.

Un funcionario de la industria semiconductora señaló: "La competencia post-HBM es una lucha por quién controla primero la estructura del sistema de IA, más que por las especificaciones de un producto único". Y agregó: "Samsung apunta al cuello de botella de la memoria de IA mediante la optimización por cliente, mientras que SK Hynix lo hace a través de un ecosistema abierto, dos enfoques diferentes".



* Este artículo ha sido traducido por IA.